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IXFH21N50
IXFM21N50
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
10
9
8
7
6
V DS = 250V
I D = 12.5A
I G = 10mA
100
10
Limited by R DS(on)
10μs
100μs
1ms
5
4
10ms
3
2
1
0
1
0.1
100ms
0
25
50
75
100 125 150 175 200
1
10
100
500
Gate Charge - nCoulombs
V DS - Volts
Fig.9
4500
4000
3500
3000
2500
Capacitance Curves
f = 1 Mhz
V DS = 25V
C iss
Fig.10 Source Current vs. Source to Drain Voltage
50
45
40
35
30
25
2000
1500
1000
500
C oss
C rss
20
15
10
5
T J = 125°C
T J = 25°C
0
0
0
5
10
15
20
25
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V DS - Volts
Fig.11 Transient Thermal Impedance
1
D=0.5
V SD - Volt
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01 D=0.02
D=0.01
Single pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Time - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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